Exynos 2500 احتمالاً اولین تراشه 3 نانومتری گوشی سامسونگ باشد که در سه ماهه چهارم سال 2024 وارد فاز تولید انبوه می‌شود، اما این غول کره‌ای در اینجا متوقف شده، چراکه برنامه‌های بزرگی در مورد تجارت مواد نیمه‌رسانای خود در ذهن دارد. یک شایعه جدید ادعا می‌کند که این شرکت توسعه فناوری 2 نانومتری خود را آغاز کرده و قصد دارد آن را در نسخه آتی اگزینوس به کار گیرد.
با توجه به اینکه اخیراً جف ویلیامز، مدیر عامل اپل، از تایوان بازدید کرده تا بتواند اولین محموله ویفر 2 نانومتری TSMC را تضمین کند، این شرکت کره‌ای هم (توسط Naver) شایعه شده که توسعه فرآیند 2 نانومتری خود را با اسم رمز Thetis آغاز کرده است. تتیس الهه دریاها در اساطیر یونانی و مادر قهرمان جنگ تروا، آشیل، است. احتمالاً سامسونگ این نام را بدین جهت انتخاب کرده باشد که ریشه کلمه Thetis از عبارت «نسل» گرفته شده است.
پیش از این گزارش شده بود که سامسونگ تولید انبوه ویفرهای 2 نانومتری GAA را در سال 2025 آغاز خواهد کرد و انتظار می‌رود سه تکرار از فناوری 3 نانومتری GAA خود داشته باشد. گفته می‌شود نسل دوم گره GAA سه نانومتری برای Exynos 2500 پیش رو در جهت افزایش بهره‌وری انرژی استفاده می‌شود. با توجه به استفاده از فناوری Gate All Around سامسونگ در لیتوگرافی 2 نانومتری، احتمالاً سامسونگ از آنچه TSMC با فرآیند 2 نانومتری خود به روی میز آورده، فراتر رود.
متأسفانه، بزرگترین مانع صنایع نیمه‌رسانای کره‌ای همیشه بازدهی بوده به طوری که حتی با فناوری 3 نانومتری GAA، سامسونگ با بازدهی افتضاح 20 درصدی مواجه شد و اگرچه ظاهراً توانسته این رقم را تا سه برابر ارزش اصلی افزایش دهد، اما همچنان از TSMC عقب‌تر است. سامسونگ در حال افزایش سرعت تولید انبوه سیلیکون پیشرفته است، چراکه می‌خواهد از تراشه‌های Exynos در گوشی‌های هوشمند پرچم‌دار آینده استفاده بیشتری ببرد.
این امر به کاهش وابستگی آن به شرکت کوالکام و کاهش هزینه‌های تراشه کمک می‌کند. این هزینه در سال 2023 به 7 میلیارد دلار رسید، چراکه سامسونگ مجموعه گلکسی S23 را منحصراً با اسنپدراگون 8 نسل 2 راه‌اندازی کرد. در سه ماهه اول سال 2024، سود عملیاتی سامسونگ به طرز غیرقابل تصوری افزایش یافت: 933 درصد در مقایسه با سه ماهه اول 2023. این نشان می‌دهد که سامسونگ در حال بهینه‌سازی ارتباطات مختلف تجاری خود است و این رویکرد می‌تواند راه طولانی را در بهبود بازده فرآیند 2 نانومتری GAA در پیش داشته باشد.