سامسونگ قصد دارد صنعت حافظه فلش NAND را به سطح جدیدی برساند، چراکه این شرکت حافظه نسل نهم و دهم V-NAND خود را با حداکثر 430 لایه معرفی کرده است.
بازار فلش NAND به لطف کاهش تقاضای مصرف‌کننده و سطح بالای موجودی، به سرعت از وضعیت اقتصادی وخیم خود در سه ماهه گذشته بهبود یافته‌اند. اکنون نوآوری وارد این صنعت شده و این نوآور کسی نیست جز سامسونگ که از یک نوع NAND نسبتاً سطح بالا به نام فلش نسل نهم V-NAND رونمایی کرده است. این نوع دارای 290 لایه است که روی هم چیده شده‌اند و نوع جدیدی را برای بازارها ارائه می‌کنند.
رسانه‌های کره‌ای گزارش می‌دهند سامسونگ قصد دارد تا ماه آینده استاندارد نسل نهم NAND خود را منتشر کند و این احتمالاً جایگزین نسل قبلی خواهد شد که دارای 236 لایه پشته‌ای بود. به نظر می‌رسد که این صنعت به احتمال زیاد به مسابقه انباشته کردن لایه‌ها کشیده شود و در این میان سامسونگ بسیار جلوتر از رقبایی مانند SK Hynix و Kioxia است. جالب اینجاست که این غول کره‌ای همچنین یک محصول NAND را با انباشته شدن 430 لایه (نسل دهم V-NAND) معرفی کرد که انتظار می‌رود سال آینده عرضه شود.
یکی دیگر از جنبه‌های هیجان‌انگیز جدیدترین فرآیند NAND نسل نهم سامسونگ، تکنیک Double Stacking است که بر فشردن لایه‌های بیشتر از طریق شکاف‌های کانالی تمرکز دارد. این تکنیک از الکتریسیته برای اتصال سلول‌های تکی استفاده می‌کند. روش دریلینگ نه تنها بازده اتصال بالاتری را تضمین می‌کند، بلکه این فرآیند در مقایسه با روش‌های سنتی انباشته کردن بسیار ارزان‌تر است.
استفاده از محصولات NAND در چند ماه گذشته به شدت افزایش یافته که دلیل اصلی آن استفاده از محصولات درگیر در استنتاج هوش مصنوعی است، چراکه آنها به ذخیره‌سازی با سرعت بالا نیاز دارند. در نهایت، این امر باعث شده که تقاضای زیادی به سمت آینده حرکت کند و تحولات این بخش را برای تولیدکنندگان فلش NAND مانند سامسونگ سرعت بخشد.
