Rambus جزئیات حافظه نسل جدید HBM4 را معرفی کرد. این حافظه نسبت به حافظه‌های فعلی HBM3 و HBM3E بهبود‌های قابل توجهی را از خود نشان می‌دهد.
با نزدیک شدن JEDEC به نهایی‌سازی حافظه HBM4، اکنون اولین جزئیات را از آنچه این حافظه نسل بعدی ارائه می‌دهد در دست داریم. این حافظه که عمدتاً برای بازار هوش مصنوعی و مراکز داده هدف‌گذاری شده، قرار است قابلیت‌های طراحی حافظه HBM موجود را گسترش دهد. Rambus اعلام کرد که کنترلر حافظه HBM4 آن سرعتی بیش از 6.4 گیگابیت بر ثانیه در هر پین خواهد داشت که سریع‌تر از نسل اول راه‌حل HBM3 به حساب می‌آید و پهنای باند بیشتری نسبت به راه‌حل‌های HBM3E با استفاده از همان طراحی استک 16-Hi و حداکثر ظرفیت 64 گیگابایت ارائه می‌دهد. پهنای باند حداقلی برای HBM4 برابر با 1638 گیگابایت بر ثانیه است که 33٪ بیشتر از HBM3E و دو برابر HBM3 خواهد بود.
در حال حاضر، حافظه HBM3E تا سرعت 9.6 گیگابیت بر ثانیه و تا پهنای باند 1.229 ترابایت بر ثانیه در هر استک عمل می‌کند. HBM4 تا 10 گیگابیت بر ثانیه و پهنای باندی تا 2.56 گیگابایت بر ثانیه در هر رابط HBM ارائه خواهد داد. این نشان‌دهنده افزایش بیش از دو برابر نسبت به HBM3E به حساب می‌آید، اما قابلیت‌های کامل حافظه HBM4 تا مدتی دیده نخواهد شد و تنها زمانی قابل دسترسی خواهد بود که بازده تولید بهتر شود. ویژگی‌های دیگر حافظه HBM4 شامل RMW ،ECC (خواندن-اصلاح-نوشتن)، اسکراب کردن خطاها و غیره می‌شود.
در حال حاضر، گزارش شده که SK Hynix تولید انبوه حافظه HBM3E با 12 لایه و ظرفیت‌های تا 36 گیگابایت و سرعت‌های 9.6 گیگابیت بر ثانیه آغاز کرده و حافظه HBM4 نسل بعدی خود را قرار است این ماه به تولید برساند. در همین حال، سامسونگ انتظار دارد تولید انبوه حافظه HBM4 خود را تا پایان سال 2025 آغاز کند. پایان فاز طراحی این حافظه در سه ماهه بعدی انجام می‌شود. در حال حاضر، پردازنده‌های گرافیکی Rubin انویدیا که انتظار می‌رود در سال 2026 عرضه شوند، اولین پلتفرم هوش مصنوعی با پشتیبانی از حافظه HBM4 خواهند بود و Instinct MI400 هم انتظار می‌رود از طراحی نسل بعدی استفاده کند اما AMD هنوز این را تأیید نکرده است.
