شرکت SK Hynix نسل جدید حافظههای 12 لایه HBM3E و SOCAMM را معرفی کرد و نمونههای اولیه حافظه 12 لایه HBM4 را ارائه داد.
شرکت SK Hynix با سرعت چشمگیری در حال توسعه محصولات حافظه نوآورانه برای سختافزارهای پیشرفته، از جمله پردازندههای گرافیکی مراکز داده با کارایی بالاست. این شرکت اعلام کرده که حافظههای 12 لایه HBM3E و SOCAMM را در رویداد GTC 2025 که از 17 تا 21 مارس در سن خوزه کالیفرنیا برگزار میشود، معرفی خواهد کرد.
این شرکت به عنوان یکی از رقبای جدی سامسونگ و میکرون، حافظه SOCAMM (ماژول حافظه فشرده متصل با فرم کوچک) را برای تراشههای قدرتمند هوش مصنوعی شرکت انویدیا تولید کرده است. این فناوری بر پایه حافظه محبوب CAMM که در تراشههای انویدیا استفاده میشود، طراحی شده اما به عنوان یک DRAM کممصرف به کار خواهد رفت.
حافظه SOCAMM شرکت SK Hynix ظرفیت حافظه را به طور چشمگیری افزایش میدهد و باعث بهبود عملکرد در پردازشهای هوش مصنوعی میشود و مصرف انرژی پایینی دارد. علاوه بر این، SK Hynix حافظه 12 لایه HBM3E خود را هم به نمایش خواهد گذاشت که برای تولید پردازندههای گرافیکی جدید Blackwell GB300 شرکت انویدیا به کار گرفته میشود. این شرکت با انویدیا قرارداد انحصاری برای تراشههای GB300 بسته و در رقابت با سایر شرکتها، پیشتاز بازار است.
پیشتازی SK Hynix در بازار حافظههای پیشرفته
SK Hynix از سپتامبر سال گذشته تولید انبوه حافظههای 12 لایه HBM3E را آغاز کرده، در حالی که سامسونگ برای رسیدن به این سطح از فناوری به چندین ماه زمان نیاز دارد. مدیران ارشد این شرکت در رویداد GTC محصولات جدید خود را معرفی خواهند کرد. این افراد شامل شخصیتهایی همچون کواک نو-جونگ (مدیرعامل)، جو سئون کیم (رئیس و مدیر بازاریابی زیرساختهای هوش مصنوعی)، و لی سانگراک (رئیس فروش و بازاریابی جهانی) خواهند بود.
پیشتازی در نسل جدید حافظههای HBM4
نمونههای اولیه حافظه 12 لایه HBM4 زودتر از موعد برنامهریزیشده به مشتریان ارائه شدهاند که نتیجه برتری فناوری و تجربه تولیدی SK Hynix در بازار حافظههای HBM است. این شرکت اکنون فرآیند تأیید کیفیت را برای مشتریان آغاز کرده و قصد دارد تا نیمه دوم سال 2025، آماده تولید انبوه حافظه 12 لایه HBM4 شود تا جایگاه خود را در بازار حافظههای پیشرفته هوش مصنوعی تثبیت کند.
حافظه HBM4 دارای بالاترین ظرفیت و سرعت در صنعت است که برای پردازشهای سنگین هوش مصنوعی ضروری محسوب میشود. این محصول پهنای باندی معادل پردازش بیش از 2 ترابایت داده در ثانیه را فراهم میکند که به معنای پردازش بیش از 400 فیلم با کیفیت Full HD (هر کدام 5 گیگابایت) در یک ثانیه است. این میزان، 60 درصد سریعتر از نسل قبلی، یعنی HBM3E است.
علاوه بر این، SK Hynix از فرآیند پیشرفته MR-MUF برای دستیابی به ظرفیت 36 گیگابایت استفاده کرده که بیشترین میزان در بین حافظههای 12 لایه محسوب میشود. این فناوری، که کارایی آن در تولید موفق نسل قبلی اثبات شده، به جلوگیری از خمیدگی تراشه کمک کرده و پایداری محصول را با بهبود دفع حرارت افزایش میدهد.
چشمانداز آینده حافظههای نسل جدید
در نهایت، این شرکت حافظه 12 لایه HBM4 خود را که همچنان در حال توسعه است، در این رویداد به نمایش خواهد گذاشت. نمونههای اولیه این حافظه در اختیار مشتریان پیشرو، از جمله انویدیا قرار گرفته و این شرکت قصد دارد آن را در پردازندههای گرافیکی سری Rubin به کار گیرد. حافظه 12 لایه HBM4 ظرفیت تا 36 گیگابایت در هر پشته را ارائه میدهد و نرخ تبادل داده آن تا 2 ترابایت بر ثانیه خواهد بود.
برنامه SK Hynix این است که تولید انبوه حافظه 12 لایه HBM4 را در نیمه دوم سال 2025 آغاز کند و از فرآیند 3 نانومتری TSMC برای تولید آن بهره ببرد. ما اینجا در رسانه خبری بنچیمو آخرین اخبار مرتبط با تکنولوژی را پوشش میدهیم، پس حتماً با ما همراه باشید.
